原標題：天津大學納米中心半導體石墨烯研究取得新突破

　　本報天津1月7日電 （記者武少民）記者近日從天津大學獲悉：天津大學天津納米顆粒與納米系統國際研究中心的馬雷教授研究團隊研究成果《碳化硅上生長的超高遷移率半導體外延石墨烯》，成功攻克長期以來阻礙石墨烯電子學發展的關鍵技術難題，打開了石墨烯帶隙。這一突破被認為是開啟石墨烯芯片制造領域大門的重要里程碑。該項成果已在《自然》雜志網站上在線發布。

　　據馬雷介紹，石墨烯是首個被發現可在室溫下穩定存在的二維材料，其具有獨特的狄拉克錐能帶結構，導致了“零帶隙”特性，而“零帶隙”特性正是困擾石墨烯研究者數十年的難題，如何打開帶隙更是開啟“石墨烯電子學”大門的“關鍵鑰匙”。研究團隊通過對外延石墨烯生長過程的精確調控，成功地在石墨烯中引入了帶隙，創造了一種新型穩定的半導體石墨烯。

　　據悉，在該項突破性研究中，具有帶隙的半導體石墨烯為高性能電子器件帶來了全新的材料選擇。這種半導體的發展不僅為超越傳統硅基技術的高性能電子器件開辟了新道路，還為整個半導體行業注入了新動力。